| TK5A60D(STA4,Q,M) - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET N-CH 600V 5A TO220SIS | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 600 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.43Ohm @ 2.5A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4.4V @ 1mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 35W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Paketleme | TO-220SIS |
| Paket / Kılıf | TO-220-3 Full Pack |