| IXFN32N120P - IXYS - MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1200 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 310mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 6.5V @ 1mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 360 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 21000 pF @ 25 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 1000W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Chassis Mount |
| Tedarikçi Paketleme | SOT-227B |
| Paket / Kılıf | SOT-227-4, miniBLOC |