| TP65H030G4PWS - RENESAS ELECTRONICS CORPORATION - GANFET N-CH 650V 55.7A TO247-3 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 55.7A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 12V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 30A, 12V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4.8V @ 1mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 24.5 nC @ 12 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1500 pF @ 400 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 192W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Paketleme | TO-247-3 |
| Paket / Kılıf | TO-247-3 |