| IPB072N15N3GATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 150 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 8V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 270µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 5470 pF @ 75 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 300W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | PG-TO263-3-2 |
| Paket / Kılıf | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |