| SI4946CDY-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET 2N-CH 60V 5.2A 8SO | |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Konfigürasyon | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Özelliği | - |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 40.9mOhm @ 5.2A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 350pF @ 30V |
| Güç - Maks. | 2W (Ta), 2.8W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Paket / Kılıf | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Tedarikçi Paketleme | 8-SO |