| SIS407ADN-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8 | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | PowerPAK® 1212-8 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Tipi | P-Channel |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 15A, 4.5V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1V @ 250µA |
| Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® 1212-8 |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 1.8V, 4.5V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±8V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 168 nC @ 8 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 5875 pF @ 10 V |