| SI8409DB-T1-E1 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT | |
| FET Tipi | P-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 4.6A (Ta) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 2.5V, 4.5V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 26 nC @ 4.5 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±12V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 1.47W (Ta) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | 4-Microfoot |
| Paket / Kılıf | 4-XFBGA, CSPBGA |