| SUD50P04-08-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 40V 50A TO252 | |
| FET Tipi | P-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 40 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 8.1mOhm @ 22A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 159 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 5380 pF @ 20 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | TO-252AA |
| Paket / Kılıf | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |