| IRFBF20PBF - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 900 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 490 pF @ 25 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 54W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Paketleme | TO-220AB |
| Paket / Kılıf | TO-220-3 |