IMT65R075M2HXUMA1
N-Channel 650 V 33.7A (Tc) 178W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
| IMT65R075M2HXUMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SICFET N-CH 650V 33.7A HSOF-8 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 33.7A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 15V, 20V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 11.9A, 18V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 5.6V @ 2.4mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 14.9 nC @ 18 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | +25V, -10V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 516 pF @ 400 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 178W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | PG-HSOF-8 |
| Paket / Kılıf | 8-PowerSFN |
