| NXV55UNR - NEXPERIA USA INC. - NXV55UN/SOT23/TO-236AB | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 1.9A (Ta) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 1.5V, 4.5V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 66mOhm @ 1.9A, 4.5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 8.7 nC @ 4.5 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±8V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 352 pF @ 15 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 340mW (Ta), 2.1W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | TO-236AB |
| Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |