| SI9435BDY-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Tipi | P-Channel |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 4.1A (Ta) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 5.7A, 10V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 1.3W (Ta) |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
| Tedarikçi Paketleme | 8-SOIC |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |