SI1480BDH-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta), 2.38A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 212mOhm @ 2A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 1.5W (Ta), 2.6W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | SC-70-6 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 206 pF @ 50 V |