| SI7370DP-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 9.6A (Ta) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 1.9W (Ta) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8 |
| Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 |