| SI2301CDS-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Tipi | P-Channel |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 3.1A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 860mW (Ta), 1.6W (Tc) |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1V @ 250µA |
| Tedarikçi Paketleme | SOT-23-3 (TO-236) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 2.5V, 4.5V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±8V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 405 pF @ 10 V |