| IPD135N03LGATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1000 pF @ 15 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 31W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | PG-TO252-3 |
| Paket / Kılıf | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |