| SSM6N815R,LF - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF | |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Konfigürasyon | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Özelliği | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 103mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 3.1nC @ 4.5V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 290pF @ 15V |
| Güç - Maks. | 1.8W (Ta) |
| Çalışma Sıcaklığı | 150°C |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Paket / Kılıf | 6-SMD, Flat Leads |
| Tedarikçi Paketleme | 6-TSOP-F |