NXH011F120M3F2PTHG
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 105A (Tc) 244W (Tj) Chassis Mount 34-PIM (56.7x42.5)
| NXH011F120M3F2PTHG - ONSEMI - MOSFET 4N-CH 1200V 105A 34PIM | |
| Teknoloji | Silicon Carbide (SiC) |
| Konfigürasyon | 4 N-Channel (Full Bridge) |
| FET Özelliği | - |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 105A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 100A, 18V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4.4V @ 60mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 284nC @ 18V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 6211.6pF @ 800V |
| Güç - Maks. | 244W (Tj) |
| Çalışma Sıcaklığı | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Chassis Mount |
| Paket / Kılıf | Module |
| Tedarikçi Paketleme | 34-PIM (56.7x42.5) |
