| IPP022N12NM6AKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - TRENCH >=100V | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 120 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 29A (Ta), 203A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 8V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.6V @ 275µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 141 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 11000 pF @ 60 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 3.8W (Ta), 395W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Paketleme | PG-TO220-3-1 |
| Paket / Kılıf | TO-220-3 |