| IPD60R360P7ATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 600 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 2.7A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 140µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 555 pF @ 400 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 41W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | PG-TO252-3 |
| Paket / Kılıf | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |