| IMT65R010M2HXUMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SILICON CARBIDE MOSFET | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 168A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 15V, 20V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 92.1A, 20V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 5.6V @ 18.7mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 113 nC @ 18 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | +23V, -7V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 4001 pF @ 400 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 681W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | PG-HSOF-8-2 |
| Paket / Kılıf | 8-PowerSFN |