| G6N02L - GOFORD SEMICONDUCTOR - MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet Tipi | N-Channel |
| Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 11.3mOhm @ 3A, 4.5V |
| Fet Özelliği | Standard |
| Maksimum Güç Tüketimi | 1.8W (Tc) |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Tedarikçi Paketleme | SOT-23-3 |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 2.5V, 4.5V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±12V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1140 pF @ 10 V |