| G220P02D2 - GOFORD SEMICONDUCTOR - P-20V,-8A,RD(MAX)<25M@-4.5V,VTH- | |
| FET Tipi | P-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±12V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1873 pF @ 10 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 3.5W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | 6-DFN (2x2) |
| Paket / Kılıf | 6-UDFN Exposed Pad |