| FQD8P10TM-F085 - ONSEMI - MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK | |
| FET Tipi | P-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 6.6A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 3.3A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 470 pF @ 25 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | Automotive |
| Kalifikasyon | AEC-Q101 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | TO-252AA |
| Paket / Kılıf | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |