| FDV301N - ON SEMICONDUCTOR - MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23 | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Fet Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 25V |
| Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 220mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 400mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.06V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±8V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 9.5pF @ 10V |
| Fet Özelliği | - |
| Maksimum Güç Tüketimi | 350mW (Ta) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | SOT-23 |
| Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |