| UF3C065080B7S - ONSEMI - SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 20A, 12V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 6V @ 10mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 23 nC @ 12 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±25V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 760 pF @ 100 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 136.4W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | D2PAK-7 |
| Paket / Kılıf | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |