SI4459BDY-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet Tipi | P-Channel |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 20.5A (Ta), 27.8A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 15A, 10V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | 8-SO |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | +20V, -16V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 3490 pF @ 15 V |