| FDMS86163P - ONSEMI - MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | 8-PowerTDFN |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Tipi | P-Channel |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 7.9A (Ta), 50A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 7.9A, 10V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
| Tedarikçi Paketleme | 8-PQFN (5x6) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±25V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 4085 pF @ 50 V |