| SQD40P10-40L_GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Fet Tipi | P-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100V |
| Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 38A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 8.2A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 144nC @ 10V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 5540pF @ 15V |
| Fet Özelliği | - |
| Maksimum Güç Tüketimi | 136W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | TO-252AA |
| Paket / Kılıf | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |