| SIRA12DP-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8 | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet Tipi | N-Channel |
| Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 10A, 10V |
| Fet Özelliği | - |
| Maksimum Güç Tüketimi | 4.5W (Ta), 31W (Tc) |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8 |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | +20V, -16V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2070 pF @ 15 V |