| IXTQ50N20P - IXYS - MOSFET N-CH 200V 50A TO3P | |
| Paketleme | Tube |
| Fet Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 200V |
| Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 5V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2720pF @ 25V |
| Fet Özelliği | - |
| Maksimum Güç Tüketimi | 360W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Paketleme | TO-3P |
| Paket / Kılıf | TO-3P-3, SC-65-3 |