| SIJA22DP-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Tipi | N-Channel |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 64A (Ta), 201A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 0.74mOhm @ 20A, 10V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 4.8W (Ta), 48W (Tc) |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8 |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | +20V, -16V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 25 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 125 nC @ 10 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 6500 pF @ 15 V |