| IV1Q12080T4 - INVENTCHIP - SIC MOSFET, 1200V 80MOHM, TO247- | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1200 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 20V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A, 20V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 5V @ 3.9mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 74 nC @ 20 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | +20V, -5V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1680 pF @ 800 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 300W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Paketleme | TO-247-4 |
| Paket / Kılıf | TO-247-4 |