| SCT1000N170 - STMICROELECTRONICS - HIP247 IN LINE | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1700 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 20V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 3A, 20V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 13.3 nC @ 20 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | +22V, -10V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 133 pF @ 1000 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 96W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Paketleme | HiP247™ |
| Paket / Kılıf | TO-247-3 |