| RQ3C150BCTB - ROHM SEMICONDUCTOR - MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT | |
| FET Tipi | P-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 15A, 4.5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 60 nC @ 4.5 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±8V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 4800 pF @ 10 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 20W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | 8-HSMT (3.2x3) |
| Paket / Kılıf | 8-PowerVDFN |