| RE1C002UNTCL - ROHM SEMICONDUCTOR - MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 1.2V, 2.5V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1V @ 1mA |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±8V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 25 pF @ 10 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 150mW (Ta) |
| Çalışma Sıcaklığı | 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | EMT3F (SOT-416FL) |
| Paket / Kılıf | SC-89, SOT-490 |