| PMV213SN,215 - NEXPERIA USA INC. - MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet Tipi | N-Channel |
| Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 1.9A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 500mA, 10V |
| Fet Özelliği | - |
| Maksimum Güç Tüketimi | 280mW (Tj) |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 1mA |
| Tedarikçi Paketleme | TO-236AB |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 330 pF @ 20 V |