| PMH950UPEH - NEXPERIA USA INC. - MOSFET P-CH 20V 530MA DFN0606-3 | |
| FET Tipi | P-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 530mA (Ta) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 1.2V, 4.5V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 0.5 nC @ 4 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±8V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 36 pF @ 10 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 370mW (Ta), 2.2W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | DFN0606-3 |
| Paket / Kılıf | 3-XFDFN |