| FDC658AP - ONSEMI - MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 | |
| FET Tipi | P-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 8.1 nC @ 5 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±25V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 470 pF @ 15 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 1.6W (Ta) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | SuperSOT™-6 |
| Paket / Kılıf | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |