| FDMS86263P - ONSEMI - MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN | |
| FET Tipi | P-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 150 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 4.4A (Ta), 22A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 53mOhm @ 4.4A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±25V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 3905 pF @ 75 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | 8-PQFN (5x6) |
| Paket / Kılıf | 8-PowerTDFN |