| SI2309CDS-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Fet Tipi | P-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60V |
| Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 1.6A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 345mOhm @ 1.25A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 4.1nC @ 4.5V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 210pF @ 30V |
| Fet Özelliği | - |
| Maksimum Güç Tüketimi | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | SOT-23-3 (TO-236) |
| Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |