| NVMFS021N10MCLT1G - ONSEMI - PTNG 100V LL SO8FL | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 8.4A (Ta), 31A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 42µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 850 pF @ 50 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 3.6W (Ta), 49W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | Automotive |
| Kalifikasyon | AEC-Q101 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Paket / Kılıf | 8-PowerTDFN, 5 Leads |