| NTMJST1D4N06CLTXG - ONSEMI - TRENCH 6 60V LFPAK 5X7 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 42A (Ta), 198A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.49mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 92.2 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 6555 pF @ 25 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 5.3W (Ta), 116W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | 10-TCPAK |
| Paket / Kılıf | 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width) |