| NTHL060N065SC1 - ONSEMI - SIC MOS TO247-3L 650V | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 47A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 15V, 18V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 20A, 18V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4.3V @ 6.5mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 74 nC @ 18 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | +22V, -8V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1473 pF @ 325 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 176W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Paketleme | TO-247-3 |
| Paket / Kılıf | TO-247-3 |