| BSC900N20NS3GATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 200 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 15.2A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 7.6A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 30µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 11.6 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 920 pF @ 100 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 62.5W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | PG-TDSON-8-5 |
| Paket / Kılıf | 8-PowerTDFN |