IPD034N06N3GATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 100A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 93µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 11000pF @ 30V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 167W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PG-TO252-3 |
Paket / Kılıf | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |