| SIS402DN-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | PowerPAK® 1212-8 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Tipi | N-Channel |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 19A, 10V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® 1212-8 |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1700 pF @ 15 V |