| SI4056DY-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Tipi | N-Channel |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 11.1A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 15A, 10V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Tedarikçi Paketleme | 8-SOIC |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 29.5 nC @ 10 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 900 pF @ 50 V |