SI2301BDS-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 | |
FET Tipi | P-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 2.5V, 4.5V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 950mV @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±8V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 375 pF @ 6 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 700mW (Ta) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | SOT-23-3 (TO-236) |
Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |