RJK0451DPB-00#J5 - RENESAS ELECTRONICS CORPORATION - MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 40 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 35A (Ta) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 17.5A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | - |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2010 pF @ 10 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 45W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | LFPAK |
Paket / Kılıf | SC-100, SOT-669 |